三星电子批量生产的第六代V-NAND 具有业界快速的

三星 电子发布已开始批量临盆250千兆字节(GB)SATA固态硬盘(SSD),该硬盘集成了该公司的第6代(1xx层)256千兆位(Gb)三位V- NAND。该公司已将SSD交付给举世PC 制造 商。 新款SSD基于业...


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三星电子发布已开始批量临盆250千兆字节(GB)SATA固态硬盘(SSD),该硬盘集成了该公司的第6代(1xx层)256千兆位(Gb)三位V- NAND。该公司已将SSD交付给举世PC制造商。

新款SSD基于业界首款跨越100层的第六代V-NAND。它具有业界快速的数据传输速度。

该公司称其新的V-NAND经由过程冲破今朝的电池堆叠限定,将3D存储器提升到了新的高度。新产品为之前的9x层单层布局增添了大年夜约40%的单元。该公司经由过程构建由136层组成的导电模具叠层实现了这一目标,然后从上到下垂直穿透圆柱形孔,形成平均的3D电荷陷阱闪光(CTF)单元。该公司称这种措施为“通道孔蚀刻”技巧。

跟着每个单元区域中的模具堆叠的高度增添,NAND闪存芯片每每更轻易受履新错和读取延迟的影响。三星表示,它经由过程采纳速率优化的电路设计降服了这些限定。

该公司表示,这种速率优化设计使其能够供给跨越300层的下一代V-NAND办理规划,只需安装三个电流堆即可构建,而不会影响芯片机能或靠得住性。

使用高速和低功耗特点,三星计划将其3D V-NAND的范围扩展到下一代移动设备和企业办事器等领域。它还针对高靠得住性至关紧张的汽车市场。

从企业的250 GB SSD开始,三星电子计划在今年下半年供给512 Gb三位V-NAND SSD和eUFS。该公司还计划从明年开始在其Pyeongtaek(韩国)园区扩大年夜更高速和更大年夜容量的第六代V-NAND办理规划的临盆,以更好地满意举世客户的需求。

早在7月份,三星电子就大年夜规模临盆了天下上第一款12Gb移动DRAM,这些移动DRAM实现了有史以来最快的速率和最大年夜的容量。

三星电子是存储器半导体市场的主导者。市场钻研公司IHS Markit表示,它在今年第一季度的DRAM市场份额为40.6%,NAND市场份额为34.1%,排名第一。三星在DRAM市场上与SK海力士(29.8%)以及东芝(18.1%)在NAND市场上的差距很大年夜。

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